JAJU923 February 2024
TIDA-010936 小型フォーム ファクタ 3 相 GaN インバータのリファレンス デザインの主な仕様を 表 1-1 に示します。このデザインは、C2000 MCU LaunchPad 開発用の 40 ピン インスタンス (J1~J3 および J4~J2) に直接接続できます。TIDA-010936 には、LaunchPad に 3.3V を供給するためのゼロ Ω 抵抗オプションが含まれています。表 1-2 と 表 1-3 に TIDA-010936 のピン配置を示します。
パラメータ | 標準値 | 備考 |
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DC 入力電圧 | 48V (12V–60V) | 絶対最大電圧 80V |
最大 3 相連続出力電流 | 16ARMS | テスト条件:周囲温度 25℃でヒートシンクなし |
最大出力電力 | DC 48V 時に 825W | 力率 0.9 の場合 |
パワー FET のタイプ | GaN 技術 | ハイサイド ゲート ドライバおよびローサイド ゲート ドライバ内蔵のハーフブリッジ パワー モジュール (LMG2100) |
PWM スイッチング周波数 (テスト済み) | 20kHz~80kHz | 80kHz を超える PWM 周波数に対応 |
PWM デッドバンド | 16.66ns | - |
位相電流センシング | アンプ | 1mΩ シャント | INA241A | 差動、非絶縁型電流センシング アンプ、50V/V、強化 PWM 除去機能搭載 (INA241A) |
位相電流最大範囲 | ±33A | 0V~3.3V にスケーリング済み、バイアス 1.65V |
PCB レイヤ構成 | 4 層、2 オンスの銅 | |
GaN FET PCB 面積 | 16mm × 51mm | 3 相 GaN + シャント |
PCBサイズ | 68.63mm × 70mm | 寸法 (mil): 2702mil × 2756mil |
温度範囲 | -40℃~85℃ | |
ホスト プロセッサとのインターフェイス | テキサス・インスツルメンツのブースタパック互換 | ピン配置は表 1-2 と表 1-3 を参照 |
LaunchPad 用の 3.3V または 5V 電源オプション | 合計 600mA (最大) | 0Ω 抵抗でイネーブル |
ピン | 信号 | I/O (3.3V) | ピン | 信号 | I/O (3.3V) |
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J2-1 | 3.3V 電源 (オプション) | O または N/C (R48 は未実装) | J2-2 | 5V 電源 (オプション) | O または N/C (R47 は未実装) |
J-23 | NC | J2-4 | GND | GND | |
J2-5 | NC | J2-6 | VDC_Bus | O (0~3.3V) (1) | |
J2-7 | NC | J2-8 | VA | O (0~3.3V) (1) | |
J2-9 | NC | J2-10 | VB | O (0~3.3V) (1) | |
J2-11 | NC | J2-12 | VC | O (0~3.3V) (1) | |
J2-13 | NC | J2-14 | IA | O (0~3.3V) | |
J2-15 | NC | J2-16 | IB | O (0~3.3V) | |
J2-17 | NC | J2-18 | 温度 | O (0~3.3V) | |
J2-19 | NC | J2-20 | NC |
ピン | 信号 | I/O (3.3V) | ピン | 信号 | I/O (3.3V) |
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J3-1 | PWM A (ハイサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-2 | GND | GND |
J3-3 | PWM A (ローサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-4 | NC | |
J3-5 | PWM B (ハイサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-6 | NC | |
J3-7 | PWM B (ローサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-8 | NC | |
PWM C (ハイサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-10 | OC | O | |
J3-11 | PWM C (ローサイド) | I (バッファ内の 10k の電力供給) | J3-12 | NC | |
J3-13 | NC | J3-14 | NC | ||
J3-15 | NC | J3-16 | NC | ||
J3-17 | NC | J3-18 | NC | ||
J3-19 | NC | J3-20 | NC |