JAJU927 March 2024
LMG2610 は、ハーフブリッジ GaN HEMT、ゲート ドライバ、ブートストラップ ダイオード、ハイサイド ゲート ドライブ レベル シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージに統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基板面積の低減を実現しています。
GaN HEMT の非対称の抵抗値は、AHB の動作条件に合わせて最適化されています。プログラマブルなターンオン スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。
ハイサイド ゲート ドライブ信号レベル シフタにより、外部設計に見られるノイズとバースト モードの消費電力の問題を解消できます。スマート スイッチ付き GaN ブートストラップ FET は、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源の過充電を回避でき、逆回復電荷はゼロです。
LMG2610 は、小さい静止電流と高速な起動時間によって、コンバータの軽負荷効率要件とバースト モード動作に対応しています。保護機能には、FET ターンオン インターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。