図 2-7 LMG2100 の機能ブロック図

LMG2100R026 デバイスは、93V 連続、100V パルス、53A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET、2.mΩ の R_DS(on) が内蔵されています。

• 5V の外部バイアス電源
• 逆回復がゼロ
• 非常に小さい入力容量 C_ISS および出力容量 C_OSS
• 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
• 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
• 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
• 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
• 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 鉛フリー パッケージ

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。このデバイスは、小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーション用の現実的な設計となっています。

LMG2100R026 は、ハイサイドとローサイドのゲート ドライバを高集積したハーフ ブリッジ GaN 電力段であり、UVLO 保護回路と過電圧クランプ回路を内蔵しています。クランプ回路は、ハイサイド ゲート ドライバのオーバードライブが 5.4V を超えないようにするため、ブートストラップ リフレッシュ動作を制限します。このデバイスは、2 つの 2.6mΩ GaN FET をハーフ ブリッジ構成で統合しています。このデバイスは多くの絶縁型および非絶縁型トポロジで使用できるため、非常に簡単に内蔵可能です。HI ピンと LI ピンを独立に制御し、ハード スイッチング降圧コンバータのローサイド FET の第 3 象限導通を最小化できます。このパッケージは、PCB 設計をシンプルに維持しながら、ループのインダクタンスを最小化するよう設計されています。ピンまでのパターン長を最小限に抑えるため、小さなフットプリントの MLCC を推奨します。バイパス コンデンサとブートストラップ コンデンサは、寄生インダクタンスを最小限に抑えるため、デバイスにできる限り近づけて配置してください。ターンオンおよびターンオフの駆動強度は、ゲートや電源ループに、余りに過剰なリンギングを発生させずに高電圧のスルーレートとなるよう最適化されています。