DATA SHEET
TPS51116 DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4完全準拠パワー・ソリューション同期整流バック・コントローラ、3A LDO、バッファ付き基準電圧
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 同期整流バック・コントローラ(VDDQ)
- 広い入力電圧範囲: 3.0V～28V
- 100ns負荷ステップ応答を実現するD−CAP™モード
- 電流モードを選択することによりセラミック出力コンデンサに対応
- S4/S5状態のソフトオフに対応
- RDS(on)または抵抗による電流検知
- 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)、
1.5Vまでの可変(DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3およびDDR4)または
出力範囲0.75V～3.0V
- パワー・グッド、過電圧保護、低電圧保護機能
- 3A LDO (VTT)、バッファ付き基準電圧(VREF)
- 3Aのシンク/ソース可能
- 電力損失の最適化に利用可能なLDO入力
- 最小出力容量20µF (セラミック)
- 低ノイズ、バッファ付きの10mA出力電流
- 精度±20mV (VREF/VTT)
- ハイ・インピーダンス(S3)およびソフトオフ(S4/S5)に対応
- サーマル・シャットダウン
