JAJSGX9B
August 2018 – January 2020
TLV1805-Q1
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
N チャネル MOSFET による逆電流保護
P チャネル MOSFET による逆電流および過電圧保護
4
改訂履歴
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Rail to Rail Inputs
7.3.2
Power On Reset
7.3.3
High Power Push-Pull Output
7.3.4
Shutdown Function
7.3.5
Internal Hysteresis
7.4
Device Functional Modes
7.4.1
External Hysteresis
7.4.1.1
Inverting Comparator With Hysteresis
7.4.1.2
Noninverting Comparator With Hysteresis
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Applications
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.3
Application Curve
8.2.4
Reverse Current Protection Using MOSFET and TLV1805-Q1
8.2.4.1
Minimum Reverse Current
8.2.4.2
N-Channel Reverse Current Protection Circuit
8.2.4.2.1
N-Channel Oscillator Circuit
8.2.5
P-Channel Reverse Current Protection Circuit
8.2.6
P-Channel Reverse Current Protection With Overvotlage Protection
8.2.7
ORing MOSFET Controller
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
デバイスおよびドキュメントのサポート
11.1
ドキュメントのサポート
11.1.1
関連資料
11.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
11.3
サポート・リソース
11.4
商標
11.5
静電気放電に関する注意事項
11.6
Glossary
12
メカニカル、パッケージ、および注文情報
1
特長
次の結果で AEC-Q100 認定済み
デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度 -40°C~+125°C
デバイスHBM ESD分類レベル2
デバイスCDM ESD分類レベルC6
電源電圧範囲:3.3V~40V
低い静止電流: 135µA
ピーク電流の大きいプッシュプル出力
位相反転保護機能付きのレール・ツー・レール入力
内蔵ヒステリシス:14mV
伝搬遅延時間:250ns
低い入力オフセット電圧:500µV
ハイ・インピーダンス出力のシャットダウン
パワーオン・リセット (POR)
SOT-23-6 パッケージ