LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。
GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。
TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。
このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5~1.5V)への直接変換が可能です。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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LMG5200 | QFM (9) | 6.00mm×8.00mm |
Changes from C Revision (December 2016) to D Revision
Changes from B Revision (January 2016) to C Revision
Changes from A Revision (March 2015) to B Revision
Changes from * Revision (March 2015) to A Revision
PIN | I/O(1) | DESCRIPTION | |
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NAME | NO. | ||
AGND | 7 | G | Analog ground. Ground of driver device. |
HB | 2 | P | High-side gate driver bootstrap rail. |
HI | 4 | I | High-side gate driver control input |
HS | 3 | P | High-side GaN FET source connection |
LI | 5 | I | Low-side driver control input |
PGND | 9 | G | Power ground. Low-side GaN FET source. Electrically shorted to AGND pin. |
SW | 8 | P | Switching node. Electrically shorted to HS pin. Ensure low capacitance at this node on PCB. |
VCC | 6 | P | 5-V positive gate drive supply |
VIN | 1 | P | Input voltage pin. Electrically connected to high-side GaN FET drain. |