DATA SHEET
UCC21750 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ
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1 特長
- 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
- 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
- ±10A の駆動強度と分割出力
- CMTI：150V/ns 以上
- 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
- 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
- フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
- NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
- 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
- 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
- UL 1577 部品認定プログラム
