NESY054
November 2023
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概覽
摘要
為何高電壓?
透過元件創新發揮最佳寬能隙 FET 性能
尋找合適的閘極驅動器
選擇合適的控制器
透過拓撲創新獲得最大功率密度
以系統級創新實現超高效率目標
設法克服 EMI 挑戰
結論
其它資源
其它資源
氮化鎵 (GaN) IC
隔離式閘極驅動器
隔離式 DC/DC 轉換器及模組
C2000 即時微控制器