GaN 如何提高逆變器效率

GaN FET 產生的傳導損耗與 GaN 的導通電阻成比例，這與 MOSFET 相似。但就 IGBT 而言，傳導損耗需視切入電壓和動態導通電阻而定，而其通常會高於 GaN FET 或 MOSFET。

而就切換損耗而言，GaN FET 可提供比 MOSFET 和 IGBT 更低的損耗，原因如下：

• GaN 可提供零反向復原。在零反向復原下，即能以極高電流轉換速率 (di/dt) 和電壓轉換速率 (dv/dt) 切換 GaN FET。在 MOSFET 中，本體二極體受高零反向復原影響，讓切換 di/dt 和 dv/dt 受到限制，並造成額外損耗和相位節點電壓振鈴。若使用 IGBT，即使增添最佳化的反平行二極體，仍可能會產生與反向復原相關的挑戰。
• 關閉時，IGBT 會受到少數載子復合電流 (通常稱為尾電流) 影響，而這會增加關閉損耗。GaN 沒有任何尾電流。
• GaN 可提供比 IGBT 和 MOSFET 更低的電容，進而減少電容切換損耗。
• 受到控制且更快的 di/dt 和受到控制的 dv/dt，有助於在切換期間將電壓電流重疊損耗最佳化。

圖 1 顯示了 GaN 式、IGBT 式與 MOSFET 式解決方案在理論上的逆變器效率比較，其切換頻率為 20kHz，GaN 式逆變器的相位節點電壓轉換速率限制在 5V/ns，環境溫度則為 55°C。您可看到 GaN 解決方案可協助將功率損耗減少至少一半。

圖 2 比較德州儀器 (TI) DRV7308 三相位 GaN 智慧型電源模組 (IPM) 與 5A 額定峰值電流 IGBT IPM 的效率，其具備 20kHz 切換頻率的 300V_DC 電源，以及有 2m 纜線的風扇馬達，環境溫度則為 25°C，並且提供 0.85A 的均方根繞組電流及 250W 的逆變器輸出功率。GaN IPM 的電壓轉換速率設定為 5V/ns。