Nuestra gama de diodos de protección contra descargas electrostáticas (ESD), diodos supresores de tensión transitoria (TVS) y diodos Zener incluye varias opciones de encapsulados y tensiones.

Beneficios:

• Los diodos ESD de <0.5 pF protegen las líneas de datos con velocidades de hasta 30 GHz, lo que garantiza la integridad de la señal durante el funcionamiento normal.
• La tecnología TVS de sujeción plana ofrece una solución confiable para disipar sobretensiones transitorias con una tensión de sujeción precisa, plana e independiente de la temperatura que minimiza la tensión residual en el sistema protegido.
• Los dispositivos de grado automotriz de la gama cumplen normas estrictas para sistemas que requieren una protección de hasta 30 kV.

Nuestras redes de resistencias de silicio y cromo (SiCr) de película fina usan técnicas de interdigitalización para lograr un alto emparejamiento entre los elementos, con resistencia al deterioro y a las tensiones por temperatura.

Beneficios:

• La SiCr de película fina permite un alto grado de interdigitalización en factores de forma pequeños, a la vez que proporciona un ruido de parpadeo más bajo que las soluciones de película gruesa.
• La interdigitalización en chip permite que varias resistencias ocupen con eficacia el mismo espacio en la oblea, lo que garantiza que cualquier variación en el material resistivo de película fina en la oblea afecte todas las resistencias por igual.
• Las resistencias emparejadas logran coeficientes de temperatura ratiométricos muy bajos, con una deriva típica de 0.2 ppm/°C o inferior.

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) discretos pueden lograr mucho menos ruido con un consumo de energía comparativamente menor que los amplificadores integrados, lo que los convierte en una excelente opción para sensores del tipo inductivos, que pueden requerir amplificadores con baja tensión y bajo ruido de corriente.

Beneficios:

• Niveles muy bajos de ruido de tensión de banda ancha similares a los transistores de unión bipolares, pero con el beneficio adicional de un ruido de corriente muy bajo. 
• Flexibilidad monocanal y opciones de emparejamiento de dos canales.
• Un par de JFET fabricados monolíticamente en el mismo troquel se emparejarán mucho mejor que los transistores individuales, lo que evitará la introducción de compensaciones de CC en circuitos de alta ganancia.

Los termistores basados en silicio lineales mantienen una alta sensibilidad a lo largo del rango de temperaturas, lo que mejora el rendimiento y la confiabilidad. 

Beneficios:

• Elimine los circuitos de linealización o los filtros de resistencia de condensador basados en hardware.
• Ejecute conversiones de software más rápidas y precisas que los termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC), a la vez que reduce los requisitos de memoria.
• Consiga hasta un 50 % más de precisión en comparación con los termistores NTC sin calibración multipunto.
• Habilite tiempos de respuesta casi un 300 % más rápidos y una mayor sensibilidad a temperaturas más altas gracias a una menor masa térmica.
• La gama incluye dispositivos con capacidad de seguridad funcional de TI y documentación de la tasa de fallas en el tiempo o la distribución del modo de falla.
• El bajo autocalentamiento minimiza la deriva del sensor a largo plazo.

Los resonadores de onda acústica masiva (BAW) ofrecen muchas mejoras con respecto a las tecnologías de resonadores microelectromecánicos y de cuarzo existentes. Nuestra gama incluye osciladores con frecuencias de 1 MHz a 400 MHz, encapsulados estándar de la industria, bajo consumo de energía y un amplio rango de tensiones de alimentación.

Beneficios:

• Los osciladores de cristal basados en BAW ofrecen una gran confiabilidad, que incluye vibración y choque, tiempo medio entre fallos (MTBF), estabilidad de la temperatura, deterioro y factores ambientales.
• Consigue menos de 100 fs de fluctuación cuadrática media.
• Reemplazar los osciladores de cuarzo con osciladores BAW no requiere ningún cambio en el diseño ni en la placa de circuito impreso.