Prueba de la batería con GaN y C2000
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14 NOV 2024
La demostración muestra la implementación de un control preciso de carga y descarga mediante el uso de MCU C2000™ en tiempo real y el último dispositivo de nitruro de galio (GaN) de 100 V de TI. El diseño de referencia usa un subsistema de modulación de ancho por pulsos (PWM) de alta resolución de C2000 y un ADC de registro de aproximación sucesiva (SAR) de precisión de 16 bits para lograr un error de regulación de corriente y tensión superior a ±0.02 % de la escala completa.