米国テキサス州リチャードソンの 300mm ウェハー・ファブ
次世代を担う半導体製造施設を米国テキサス州リチャードソンで建設
米国テキサス州リチャードソンの製造施設
米国テキサス州リチャードソンにある TI の 2 つの 300mm 半導体ウェハー製造施設では、本格的な量産時に 1 日あたり 1 億個以上のアナログ チップを製造する見込みです。これらは、あらゆる場所にあるエレクトロニクス機器で活用できます。TI の最新ファブ (RFAB2) は 2022 年 9 月に製造を開始しました。リチャードソンにある TI の最初のファブ (RFAB1) は、2009 年に世界初の 300mm アナログ ウェハー ファブとして操業を開始しましたが、RFAB2 は RFAB1 に連携しています。この投資は、TI のお客様の今後数十年にわたる需要に対応する見込みです。
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持続可能な未来
RFAB1 と RFAB2 は LEED Gold の認証を取得済みであり、持続可能で責任ある製造を目指す TI の長期的な取り組みを示しています。