米国テキサス州シャーマンの 300mm ウェハー・ファブ
次世代を担う半導体製造施設を米国テキサス州シャーマンで建設
米国テキサス州シャーマンの製造施設
TI は、米国テキサス州シャーマンに新しい 300mm 半導体ウェハー製造施設を複数建設しているところです。これらの施設ではアナログ チップと組込みプロセッシング チップを毎日数百万個製造する予定であり、これらは、あらゆる場所にあるエレクトロニクス機器で活用できます。最初のファブでの製造は、早ければ 2025 年の開始を予定しています。今後数十年にわたってお客様の需要に対応することを意図した 4 つの連携型ファブ (SM1、SM2、SM3、SM4) の計画も含め、投資は合計 300 億ドルに達する可能性があります。
ニュース
1 年経過後:TI の新しいシャーマン ウェハー ファブの進捗状況
テキサス州シャーマンに建設する次世代の半導体製造施設に関し、TI はこの 1 年間で大きな進捗を遂げました。その結果、今後数十年にわたって TI のお客様が必要とする製造能力を満たせるようになる見込みです。4 つの新しい 300mm ファブのうち最初のものは、早ければ 2025 年に製造を開始する見込みです。
プレス キット
メディア関係者からのご質問は、mediarelations@ti.com にお問い合わせください。