このプレゼンテーションでは、シリコン カーバイド (SiC) の固有の材料特性と、それらが電力システムに与える影響について解説し、SiC MOSFET の Rdson が Si MOSFET より低い理由と、Si IGBTと比較した場合の SiC MOSFET の利点について説明していますた。 UCC21520-Q1 を使用する、EV オンボード チャージャ (TIDA-01604) 向けの SiC MOSFET をベースとする 6.6kW トーテム ポール PFC のアプリケーションの例を紹介しています。次に、SiC MOSFET のゲート ドライバ要件について詳しく説明し、UCC21521 を使用する設計例 (TIDA-01605) を示しています。