텍사스 주 리처드슨 300mm 웨이퍼 팹

텍사스주 리처드슨에서 반도체 제조의 새로운 시대 구축합니다

텍사스 리처드슨에서 제조

텍사스주 리처드슨에 위치한 2개의 TI 300밀리미터 반도체 웨이퍼 제조 공장에서 매일 1억 개 이상의 아날로그 칩을 생산하며 이는 전 세계의 전자 제품에 사용됩니다. TI의 최신 팹(RFAB2)은 2022년 9월에 생산을 시작했으며, 리처드슨에 있는 TI의 첫 번째 팹(RFAB1)과 연결되어 있으며, 이는 2009년에 세계 최초의 300mm 웨이퍼 팹으로 성장했습니다. 투자는 앞으로 수십 년 동안 고객의 수요를 지원할 것입니다.

뉴스

초기 생산 시작

2022년 9월 29일 – 텍사스주 리처드슨에 위치한 TI의 최신 300mm 웨이퍼 팹의 초기 생산을 시작합니다.

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두 번째 300mm 팹 건설 계획 발표

2019년 4월 18일 - TI는 텍사스 주 리처드슨을 다음 300mm 아날로그 웨이퍼 팹의 위치로 선정했습니다.

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오랜 기간: 텍사스 주 리처드슨 300mm 웨이퍼 팹

기자 회견

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추가 정보

고급 제조 용량 구축

내부 제조 역량에 대한 TI의 투자는 공급에 대한 더 큰 보증을 제공하여 향후 수십 년 동안 고객의 성장을 지원합니다.

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지속 가능한 미래 구축

RFAB1 및 RFAB2는 LEED Gold 인증을 받았으며, 책임감 있고 지속 가능한 제조 공정을 위한 오랜 노력을 입증했습니다.

RFAB2 LEED Gold 보도자료 읽기
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보다 강력한 커뮤니티 구축

TI는 전 세계에 거주하고 일하는 더 강력한 공동체를 만들기 위해 최선을 다하고 있습니다.

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