질화 갈륨(GaN) 지능형 전원 모듈(IPMS)

통합 질화 갈륨(GaN) 지능형 전원 모듈(IPMS)로 고전압 모터 드라이브 애플리케이션의 전력 효율 극대화

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TI의 통합 GaN IPM은 99% 이상의 인버터 효율을 달성하여 외부 히트 싱크가 필요하지 않고 전력 손실이 감소하여 열 성능을 개선합니다. 고급 통합 및 높은 전력 밀도로 솔루션 크기를 줄이고 시스템 레벨 비용을 절감할 수 있습니다. 초저 데드 타임 및 전파 지연으로 전류 고조파 감소 및 고정밀 전류 감지를 통해 음향 성능을 향상시킵니다. 전력 효율성 극대화, 제로 역복구, 정확한 회전율 제어, 단락 및 과전류 보호 기능 향상으로 시스템 안정성을 높이고 모터 드라이브 수명을 개선합니다.
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TI의 GaN 전원 장치 포트폴리오를 통해 모든 전력 레벨에서 전력 밀도와 효율성 극대화합니다.

DRV7308
질화 갈륨(GaN) 지능형 전원 모듈(IPMS)

보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V, 205mΩ 3상 통합 GaN 인텔리전트 전력 모듈(IPM)

대략적인 가격 (USD) 1ku | 5.5

GaN IPMS의 이점

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시스템 효율성 향상

TI의 지능형 전력 모듈은 낮은 온 저항 고전압 GaN 장치를 통합하여 인버터 효율이 2%의 게인을 지원하고 IGBT 또는 MOSFET 모듈에 대한 전력 손실을 50% 이상 줄입니다.

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모터 드라이브 수명 연장

통합 회전율 제어 및 다중 레벨 보호 기능으로 모터 히팅 감소, 전력 효율을 극대화하고 모터 수명 기간 동안 절연을 개선하는 데 도움이 됩니다.

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조용하고 정확한 모터 작동 구현

전파 지연이 낮은 정확한 전류 감지를 달성하고 데드 타임이 낮은 전류 고조파를 줄입니다. 낮은 듀티 사이클 지원으로 모터 속도의 더 넓은 작동 범위를 구현할 수 있습니다.

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전력 밀도 개선 및 시스템 비용 절감

히트 싱크를 제거하고 전류 감지 증폭기 및 보호 기능을 통합하여 시스템 크기를 최대 60%까지 줄입니다.

주요 기술

GaN IPM 소개

질화 갈륨(GaN)으로 제작된 지능형 전원 모듈(IPMS)은 기존 실리콘 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 및 절연 게이트 양극 트랜지스터에 비해 높은 전력 밀도와 효율성을 지원합니다. 

장점:

  • 전력계에서 99% 이상의 효율성을 통해 히트 싱크와 같은 냉각 부품이 필요하지 않으므로 전체 효율성이 향상되고 모터 드라이버 시스템 크기가 줄어듭니다.
  • 150ns 미만의 데드 타임 및 전파 지연과 높은 펄스 폭 변조 스위칭 주파수는 전류 왜곡을 줄여 음향 성능을 향상시킵니다.
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