Gallium nitride (GaN) motor drivers

질화 갈륨(GaN) IPM(지능형 전력 모듈)과 하프 브리지 모터 드라이버를 통한 전력 효율성 극대화 및 솔루션 크기 최소화

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TI의 통합 GaN 기술은 99% 이상의 인버터 효율을 제공하여 열 성능을 크게 향상시키고 전력 손실을 최소화합니다. 고급 통합 및 증가된 전력 밀도 덕분에 솔루션의 설치 면적이 작아지고 시스템 수준의 비용이 절감됩니다. 초저 데드 타임과 전파 지연은 음향 성능을 개선하고, 전류 고조파를 줄이며, 고정밀 전류 감지를 가능하게 합니다. 전력 효율성 극대화, 제로 역복구, 정확한 회전율 제어, 단락 및 과전류 보호 기능 향상으로 시스템 안정성을 높이고 모터 드라이브 수명을 개선합니다.

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650V GaN IPM

TI의 고전압 GaN IPM 장치를 사용하여 전력 밀도와 효율성 극대화

200V 미만 GaN 하프 브리지 드라이버

TI의 중간 전압 GaN 하프 브리지 장치로 효율성 향상 및 솔루션 크기 최소화

관련 카테고리
질화 갈륨(GaN) IC

TI의 GaN 전원 장치 포트폴리오를 통해 모든 전력 레벨에서 전력 밀도와 효율성 극대화합니다.

DRV7308
Gallium nitride (GaN) motor drivers

보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V, 205mΩ 3상 통합 GaN 인텔리전트 전력 모듈(IPM)

대략적인 가격 (USD) 1ku | 7.15

DRV7167
Gallium nitride (GaN) motor drivers

100V 70A 하프 브리지 GaN 모터 드라이버 전력계

대략적인 가격 (USD) 1ku | 4.5

TI GaN 모터 드라이버의 장점

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시스템 효율성 향상

TI의 GaN 모터 드라이버는 낮은 온 저항 GaN FET를 통합하여 실리콘 기반 기술에 비해 최대 2% 더 높은 전력 효율을 가지며 전력 손실을 50% 이상 줄입니다.

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모터 드라이브 수명 연장

통합 회전율 제어 및 다중 레벨 보호 기능으로 모터 가열을 최소화하고 전력 효율을 극대화하며 모터 수명 기간 동안 절연을 개선합니다. 최고의 성능과 내구성을 제공합니다.

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조용하고 부드러운 모터 작동 구현

높은 스위칭 주파수, 낮은 전파 지연 및 데드 타임이 낮은 전류 고조파를 통해 TI GaN으로 더 조용한 작동과 더 부드러운 토크를 달성하십시오.

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솔루션 크기를 50%까지 최소화

GaN을 활용하여 시스템 공간을 최소화하십시오. 실리콘 대비 매우 놓은 전력 밀도를 달성하고 외부 시스템 부품 수를 줄여, 더욱 작고 효율적인 설계를 가능하게 합니다.

주요 기술

GaN IPM 소개

GaN(질화갈륨)으로 제작된 인텔리전트 전력 모듈(IPM)은 기존의 실리콘 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)에 비해 더 높은 전력 밀도와 효율을 구현합니다. 

장점:

  • 전력계에서 99% 이상의 효율성을 통해 히트 싱크와 같은 냉각 부품이 필요하지 않으므로 전체 효율성이 향상되고 모터 드라이버 시스템 크기가 줄어듭니다.
  • 150ns 미만의 데드 타임 및 전파 지연과 높은 펄스 폭 변조 스위칭 주파수는 전류 왜곡을 줄여 음향 성능을 향상시킵니다.
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3상 통합 GaN 기술이 모터 구동 성능을 극대화하는 방법
GaN 설계 고려 사항에 대해 읽고 GaN이 모터 효율성을 어떻게 높이는지 알아보세요.
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효율적인 GaN IPM
DRV7308 GaN IPM으로 보다 효율적이고 컴팩트한 모터 시스템 설계
GaN IPM을 위한 주요 제품
신규 DRV7308 활성 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V, 205mΩ 3상 통합 GaN 인텔리전트 전력 모듈(IPM)

GaN 하프 브리지 소개

GaN(질화 갈륨) 하프 브리지 전력 단계는 기존의 실리콘 MOSFET에 비해 탁월한 전력 밀도와 더 작은 풋프린트를 제공합니다.

장점:

  • GaN 하프 브리지 전력 단계를 통해 PCB 크기를 50% 이상 줄일 수 있습니다.
  • 높은 스위칭 주파수(100kHz)에서 전력 손실을 최대 50% 줄입니다.
  • 세라믹 커패시터를 사용할 수 있어 안정성과 성능을 향상시킵니다.
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레퍼런스 디자인
산업용 통신 지원 48V 1kW 로봇 관절 모터 컨트롤 레퍼런스 설계
휴머노이드 로봇 관절(48V, 1kW)용 70mm PCB에서 DRV7167 GaN 하프 브리지 및 TI Sitara™ AM261x MCU를 사용하는 산업용 이더넷 모터 드라이브 레퍼런스 설계입니다. 높은 전력 밀도, 실시간 제어 성능을 갖추었으며 현재 시스템 테스트 진행 중입니다.
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GaN 기술과 브러시리스 DC 모터 시스템의 교차점이 어떻게 소비자의 삶을 개선할 수 있는지 살펴보세요
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GaN 하프 브리지 드라이버을 위한 주요 제품
신규 DRV7167 미리 보기 100V 70A 하프 브리지 GaN 모터 드라이버 전력계

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GaN과 BLDC 브러시리스 DC(BLDC) 모터 시스템의 교차점이 어떻게 소비자의 삶을 개선할 수 있는지 살펴보겠습니다.
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150W ~ 250W 모터 드라이브 애플리케이션을 위한 GaN 지능형 전력 모듈(IPM)인 DRV7308을 사용하여 더 작고, 조용하고, 효율적인 모터 드라이브 시스템을 설계하세요.
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3상 통합 GaN 기술이 모터 구동 성능을 극대화하는 방법
GaN 기반 IPMS의 발전은 가전 및 HVAC 시스템의 모터 드라이브의 전력 밀도, 전원 공급 및 효율성을 높이는 동시에 시스템 비용을 절감하고 안정성을 높이는 데 계속 도움이 될 것입니다.
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