SI 전력계

전력 밀도 극대화, 효율성 최적화, 설계 간소화

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TI의 고급 전력계 장치를 활용하여 솔루션 크기를 최소화하고, 전력 밀도를 극대화하고, 효율성을 최적화하며, 시스템 보호를 강화하세요. 간소화된 다중 위상 DC/DC 시스템 솔루션을 위한 확장 가능한 다중 위상 컨트롤러와 고정밀 원격 측정을 지원하는 스마트 전력계를 통합합니다. 이 통합은 작은 설치 공간 내에서 중복 구성 요소를 제거하고, 스위칭 손실을 줄이고, 전체적인 시스템 안정성을 높입니다.

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열적으로 최적화된 풋프린트 전력계
열적으로 최적화된 풋프린트 스마트 전력계
업계 공통 풋프린트 스마트 전력계

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TI의 MOSFET 전력계로 시스템 효율성 개선 및 설계 간소화

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고효율

PowerStack™ 패키징 기술은 기생을 제거하고 스위칭 손실을 줄이는 동시에 큰 접지 리드프레임으로 탁월한 열 성능을 제공합니다.

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향상된 진단 피드백

사이클 단위 정밀 온도 보상 양방향 전류 감지는 시스템 모니터링 및 온도를 개선합니다. 또한 오류 모니터링으로 시스템 안정성을 개선합니다.

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고집적

통합 MOSFET, 드라이버 및 전류 감지는 수동 부품을 제거하는 완전한 스위칭 기능을 제공하여 솔루션 크기를 줄이고 인쇄 회로 보드 레이아웃을 간소화합니다.

기술 리소스

Application note
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Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
동기식 벅 컨버터는 저전압, 고전류 애플리케이션에 널리 사용되는 토폴로지입니다. 저전력 손실과 높은 효율을 갖춘 동기식 벅 컨버터는 미래의 고급 마이크로프로세서를 위해 높은 수요를 보이고 있습니다.
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비디오
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다중 위상 벅 레귤레이터 소개
이 비디오에서는 다중 위상 벅 레귤레이터가 정확히 무엇인지, 어떤 애플리케이션에 적합한지 및 이러한 제품을 도입하는 것과 관련된 몇 가지 과제에 대해 설명합니다.
비디오
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PowerStack™ 패키징 기술 개요
TI 스마트 전력계의 구조와 패키징으로 회로 성능을 향상시킬 수 있는 방법에 대한 심도 깊은 내용을 알아보세요.

주요 애플리케이션 알아보기

데이터 센터 및 엔터프라이즈 컴퓨팅
MOSFET 전력계를 통해 전체 솔루션 크기를 줄이고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 효율성을 최적화하고, 시스템 보호를 강화하세요
유선 네트워킹
MOSFET 전력계를 통해 1,000A 이상의 전력 솔루션을 구현하고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 효율성을 최적화하고, 시스템 보호를 강화하세요
무선 인프라
MOSFET 전력계를 통해 최대 16V의 입력 전압을 구현하고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 시스템 보호를 강화하세요.

MOSFET 전력계를 통해 전체 솔루션 크기를 줄이고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 효율성을 최적화하고, 시스템 보호를 강화하세요

NexFET™ 전력계는 다중 위상 컨트롤러와 페어링되어 스위칭 손실을 줄이고 시스템 효율성과 안정성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

장점:

  • PowerStack™ 패키징 기술은 기생을 제거하고 스위칭 손실을 줄이는 동시에 큰 접지 리드 프레임으로 탁월한 열 성능을 제공합니다.
  • 사이클 단위 정밀 온도 보상 양방향 전류 감지는 시스템 모니터링을 개선합니다. 오류 모니터링은 시스템 안정성을 개선합니다.
  • 통합 MOSFET, 드라이버 및 전류 센서는 수동 부품을 제거하는 스위칭 기능을 제공하여 인쇄 회로 보드 레이아웃을 간소화합니다.

주요 리소스

제품
  • CSD95410RRB – 90A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력 단계
  • CSD95420RCB – 50A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력계
  • CSD95411 – 65A 피크 연속 전류 동기식 벅 NexFET™ 전력계

MOSFET 전력계를 통해 1,000A 이상의 전력 솔루션을 구현하고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 효율성을 최적화하고, 시스템 보호를 강화하세요

NexFET™ 전력계는 다중 위상 컨트롤러와 페어링되어 스위칭 손실을 줄이고 시스템 효율성과 안정성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

장점:

  • 능동 전류 공유 위상 더블링 전력계 기술은 적층형 전력계 간에 정확한 전류 공유를 보장합니다. 
  • CSD95430은 전력 솔루션을 손쉽게 확장하여 고전력 애플리케이션을 지원합니다. 
  • PowerStack™ 패키징 기술은 기생을 제거하고 스위칭 손실을 줄이는 동시에 큰 접지 리드 프레임으로 탁월한 열 성능을 제공합니다.

주요 리소스

제품
  • CSD95430 – 90A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력 단계
  • CSD95410RRB – 90A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력 단계
  • CSD95420RCB – 50A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력계

MOSFET 전력계를 통해 최대 16V의 입력 전압을 구현하고, 과도 응답 및 출력 전압 리플을 개선하고, 시스템 보호를 강화하세요.

NexFET™ 전력계는 다중 위상 컨트롤러와 페어링되어 스위칭 손실을 줄이고 시스템 효율성과 안정성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

장점:

  • 25V FET 기술은 최대 16V의 입력 전압 범위를 가능하게 합니다.
  • PowerStack™ 패키징 기술은 기생을 제거하고 스위칭 손실을 줄이는 동시에 큰 접지 리드 프레임으로 탁월한 열 성능을 제공합니다.
  • 사이클 단위 정밀 온도 보상 양방향 전류 감지는 시스템 모니터링을 개선합니다. 오류 모니터링은 시스템 안정성을 개선합니다.

주요 리소스

제품
  • CSD96415 – 80A 피크 연속 전류 동기식 벅 NexFET™ 전력계
  • CSD96416 – 50A 피크 연속 전류 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력계
  • CSD95410RRB – 90A 피크 연속 동기식 벅 NexFET™ 스마트 전력 단계

설계 및 개발 자료

평가 보드
PMBus 인터페이스를 지원하는 D-CAP+™ 스텝다운 컨트롤러용 듀얼 채널(6+2/5+3) 평가 모듈

TPS53681EVM 평가 모듈을 사용하면 제품에 포함되어 있는 PMBus 인터페이스의 구성, 제어 및 모니터링 기능을 이용해 저전압, 고전류, 스텝다운 POL(부하 지점) 애플리케이션의 CSD95490 스마트 전력 스테이지를 통해 TPS53681 컨트롤러의 작동 특성을 평가할 수 있습니다.

이 장치는 4.5V~17V의 전압 공급을 사용해 작동하며, PMBus 인터페이스와 TI의 Fusion Digital Power™ 디자이너 소프트웨어를 통한 프로그래밍 및 모니터링을 지원합니다.

평가 보드
TPSM831D31, 8V~14V 입력, 듀얼 출력, 120A + 40A PMBus 전력 모듈 평가 모듈
TPSM831D31 평가 보드는 출력 A에 대해 최대 120A, 출력 B에 대해 최대 40A의 전류에서 TPSM831D31 전원 모듈의 작동을 평가하도록 구성됩니다. 입력 전압 범위는 8V~14V입니다. 출력 전압 범위는 출력 A 및 출력 B 모두 0.25V~1.52V입니다. 이 평가 보드를 사용하면 TPSM831D31 작동을 쉽게 평가할 수 있습니다.
평가 보드
PMBus 인터페이스 EVM을 지원하는 듀얼 채널(12+0, 11+1 또는 10+2상), D-CAP+ 스텝다운, DC-DC 아날로그

사용자는 TPS536C7EVM 평가 모듈(EVM)을 통해 TPS536C7 컨트롤러를 평가할 수 있습니다.

이 컨트롤러는 PMBus 인터페이스를 지원하는 듀얼 채널(12 + 0, 11 + 1 또는 10 + 2 위상), D-CAP+™ 동기 벅 드라이버리스 제어를 제공합니다. 이 디바이스는 4.5V~17V 사이의 전압 공급을 사용하여 작동합니다. 이 컨트롤러는 PMBus 인터페이스를 통해 프로그래밍 및 모니터링을 지원합니다.

이 EVM은 CSD95410, 동기 벅 NexFET™ 90A 스마트 전력계 장치를 전력계로 사용합니다.

SI 전력계 관련 레퍼런스 디자인

레퍼런스 설계 선택 툴을 사용하여 애플리케이션 및 매개 변수에 가장 적합한 설계를 찾을 수 있습니다.