CSD75207W15
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 1.5mm の WLP 封止、デュアル、コモン ソース、27mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD75207W15
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection >4 kV
- HBM JEDEC standard JESD22-A114
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
The CSD75207W15 device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications. The device has also been awarded with U.S. patents 7952145, 7420247, 7235845, and 6600182.
技術資料
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* | データシート | CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2014年 6月 12日 | ||
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アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
アプリケーション・ノート | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 2019年 6月 14日 |
設計および開発
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リファレンス・デザイン
TIDA-00100 — Bluetooth Low Energy(BLE)ビーコン・サブシステム向け屋内照明エネルギー・ハーベスト
Bluetooth Low Energy(BLE)ビーコン・サブシステム用屋内照明/エネルギー・ハーベストのリファレンス・デザインは、小売店の環境における標準的な屋内照明(250 ルクス超)のみを電力供給源として、Bluetooth Low Energy チップが BLE ビーコンを送信できるソリューションを実現します。
このサブシステム・リファレンス・デザインは、バッテリを内蔵していない点で既存のソリューションとは大きく異なっています。その結果、バッテリ交換とバッテリ充電の手間が不要で、バッテリのメンテナンスに関連するコストを節減できます。 (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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DSBGA (YZF) | 9 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。