CSD96415
- ピーク電流定格：80A
- 16V (VIN)、25V でのハイサイドおよびローサイド FET における定格
- ピーク効率 (fSW = 600kHz、LOUT = 150nH)： 94% 以上
- 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
- 温度補償された双方向電流検出
- アナログ温度出力
- フォルト監視
- 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
- トライステート PWM 入力
- ブートストラップ・スイッチ内蔵
- 貫通電流保護のために最適化されたデッドタイム
- パッケージ
- 高密度、QFN 5mm×6mm
- 非常に低いインダクタンス
- システムに対して最適化された PCB フットプリント
- 放熱性に優れたトップサイド冷却
- RoHS 準拠で鉛フリーの端子メッキ処理
- ハロゲン不使用
- 7 インチおよび 13 インチ・リール
CSD96415RWJ NexFET™ パワー・ステージの設計は、高出力、高密度の同期整流降圧コンバータ向けに高度に最適化されています。この製品は、ドライバ・デバイスとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングの完結した機能を実現します。この構成により、5mm×6mm という小型のパッケージ内に大電流、高効率、および高速スイッチングの機能を提供しています。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、PCB 上の占有面積を最適化することで、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるようにしています。
Request more information
The full data sheet and other information are available. Request now
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN-CLIP (RWJ) | 41 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点