ホーム パワー・マネージメント Power stages Si 電力段

CSD96416

アクティブ

50A の連続電流、同期整流降圧 NexFET™ スマート電力段

製品詳細

VDS (V) 25 Ploss current (A) 25 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (V) 25 Ploss current (A) 25 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN-CLIP (RWJ) 41 30 mm² 6 x 5
  • ピーク電流定格50A
  • 16V (VIN)、25V (ハイサイドおよびローサイドFET)
  • テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラ使用時の過渡応答を改善するためにトリム調整されたデッドタイム
  • ピーク効率 (fSW = 600kHz、LOUT = 150nH):94% 以上
  • 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
  • 温度補償双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • トライステート PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流を防止するように最適化されたデッドタイム
  • 高密度の QFN 5mm × 6mm フットプリント
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • システムに対して最適化された PCB の占有面積
  • 放熱性に優れたトップサイド冷却
  • RoHS 準拠で鉛フリーの端子メッキ処理
  • ハロゲン不使用
  • ピーク電流定格50A
  • 16V (VIN)、25V (ハイサイドおよびローサイドFET)
  • テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラ使用時の過渡応答を改善するためにトリム調整されたデッドタイム
  • ピーク効率 (fSW = 600kHz、LOUT = 150nH):94% 以上
  • 高周波数 (最高 1.75MHz) での動作
  • 温度補償双方向電流検出
  • アナログ温度出力
  • フォルト監視
  • 3.3V および 5V の PWM 信号と互換
  • トライステート PWM 入力
  • ブートストラップ・スイッチ内蔵
  • 貫通電流を防止するように最適化されたデッドタイム
  • 高密度の QFN 5mm × 6mm フットプリント
  • インダクタンスの非常に低いパッケージ
  • システムに対して最適化された PCB の占有面積
  • 放熱性に優れたトップサイド冷却
  • RoHS 準拠で鉛フリーの端子メッキ処理
  • ハロゲン不使用

CSD96416 NexFET™ パワー・ステージの設計は、高出力、高密度の同期整流降圧コンバータ用として、高度に最適化されています。この製品では、ドライバとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングのための完結した機能を提供します。この構成が、5mm × 6mm という小型のパッケージ内に、大電流、高効率、高速のスイッチングを実現しています。この出力段のデッドタイムはトリム調整済みであり、テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラを使用する場合の過渡応答を改善しています。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるように、PCB の占有面積を最適化しています。

CSD96416 NexFET™ パワー・ステージの設計は、高出力、高密度の同期整流降圧コンバータ用として、高度に最適化されています。この製品では、ドライバとパワー MOSFET を統合することにより、電力段スイッチングのための完結した機能を提供します。この構成が、5mm × 6mm という小型のパッケージ内に、大電流、高効率、高速のスイッチングを実現しています。この出力段のデッドタイムはトリム調整済みであり、テキサス・インスツルメンツ以外のコントローラを使用する場合の過渡応答を改善しています。また、正確な電流センシングおよび温度センシング機能を内蔵することで、システム設計の簡素化と精度の向上を両立しています。さらに、設計期間を短縮し、システム全体の設計を簡素化できるように、PCB の占有面積を最適化しています。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ
Request more information

The full data sheet and other information are available. Request now

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
CSD96415 アクティブ 80A の連続電流、同期整流降圧 NexFET™ 電力段 Same common footprint, higher current, higher efficiency 80-A power stage

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
1 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD96416 同期整流・降圧 NexFET™ スマート・パワー・ステージ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 12月 20日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN-CLIP (RWJ) 41 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ