パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 WQFN (RTA) | 40 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,000 | LARGE T&R |
DRV8353F の特徴
- 9～100V、トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- (オプション) トリプル・ローサイド電流シャント・アンプ
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機能安全品質管理
- IEC 61800-5-2 機能安全準拠システム設計を支援するドキュメントを提供
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 調整可能なスルーレート制御による EMI 性能の向上
- VGS ハンドシェイクおよび最小限のデッド・タイム挿入により貫通電流を回避
- 50mA～1A のピーク・ソース電流
- 100mA～2A のピーク・シンク電流
- 強力なプルダウンにより dV/dt を低減
- ゲート・ドライバ電源を内蔵
- ハイサイド・ダブラー・チャージ・ポンプによる 100% PWM デューティ・サイクル制御
- ローサイドのリニア・レギュレータ
- トリプル電流シャント・アンプ内蔵
- 可変ゲイン (5、10、20、40V/V)
- 双方向または単方向のサポート
- 6x、3x、1x、および独立 PWM モード
- 120° センサ付き動作をサポート
- SPI またはハードウェア・インターフェイスを利用可能
- 低消費電力のスリープ・モード (VVM = 48V で 20µA)
- 保護機能内蔵
- VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
- ゲート駆動電源低電圧 (GDUV)
- MOSFET VDS 過電流保護 (OCP)
- MOSFET 貫通電流防止
- ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
- 熱警告およびシャットダウン (OTW/OTSD)
- フォルト状態インジケータ (nFAULT)
DRV8353F に関する概要
DRV835xF ファミリのデバイスは、3 相ブラシレス DC (BLDC) モータ・アプリケーション向けの高度に統合されたゲート・ドライバです。一部のデバイス・バリエーションは、各種モータ制御方式をサポートするための電流シャント・アンプを内蔵しています。
DRV835xF はスマート・ゲート・ドライブ (SGD) アーキテクチャを使用して、通常は MOSFET スルーレート制御および保護回路に必要となる外付け部品の数を減らしています。また、SGD アーキテクチャによりデッド・タイムが最適化されて貫通電流状況が防止され、MOSFET のスルーレート制御により電磁気干渉 (EMI) を柔軟に低減でき、VGS 監視によってゲートの短絡状況に対する保護を行えます。ゲートの強力なプルダウン回路は、望ましくない dV/dt 寄生ゲート・ターンオンの防止に役立ちます。
各種の PWM 制御モード (6x、3x、1x、および独立) がサポートされており、外部コントローラと簡単に接続できます。これらのモードにより、モータ・ドライバ PWM 制御信号のために必要なコントローラ出力の数を減らすことができます。このファミリのデバイスには 1x PWM モードも含まれており、内部ブロックの通信テーブルを使用して、BLDC モータの単純なセンサ付き台形制御に使用できます。