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LF356-MIL

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ミリタリー グレード、シングル、30V、5MHz、FET 入力オペアンプ

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製品詳細

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Military Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 10 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5 Slew rate (typ) (V/µs) 12 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2 Iq per channel (typ) (mA) 5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Military Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 3 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.025 Architecture FET
TO-CAN (LMC) 8 80.2816 mm² 8.96 x 8.96 WAFERSALE (YS) — See data sheet
  • 利点
    • 高価なハイブリッドおよびモジュールFETオペアンプの代替
    • 堅牢なJFETにより、MOSFET入力デバイスと比較してブローアウトなしの動作
    • ソースのインピーダンスが高くても低くても、低ノイズ・アプリケーション用に最適 - 非常に低い1/fコーナー
    • ほとんどのモノリシック・アンプと異なり、オフセット調整によりドリフトや同相除去の劣化なし
    • 新しい出力段により、安定性の問題なしに大きな容量性負荷(5,000pF)を使用可能
    • 内部補償および大きな差動入力電圧能力
  • 共通機能
    • 低い入力バイアス電流: 30pA
    • 低い入力オフセット電流: 3pA
    • 高い入力インピーダンス: 1012Ω
    • 低い入力ノイズ電流: 0.01pA/√Hz
    • 高い同相除去率: 100dB
    • 大きなDC電圧ゲイン: 106dB
  • 非共通機能
    • 非常に短いセトリング時間: 0.01%まで1.5µs
    • 高いスルー・レート: 12V/µs
    • 広いゲイン帯域幅: 5MHz
    • 低い入力ノイズ電圧: 12nV/√Hz
  • 利点
    • 高価なハイブリッドおよびモジュールFETオペアンプの代替
    • 堅牢なJFETにより、MOSFET入力デバイスと比較してブローアウトなしの動作
    • ソースのインピーダンスが高くても低くても、低ノイズ・アプリケーション用に最適 - 非常に低い1/fコーナー
    • ほとんどのモノリシック・アンプと異なり、オフセット調整によりドリフトや同相除去の劣化なし
    • 新しい出力段により、安定性の問題なしに大きな容量性負荷(5,000pF)を使用可能
    • 内部補償および大きな差動入力電圧能力
  • 共通機能
    • 低い入力バイアス電流: 30pA
    • 低い入力オフセット電流: 3pA
    • 高い入力インピーダンス: 1012Ω
    • 低い入力ノイズ電流: 0.01pA/√Hz
    • 高い同相除去率: 100dB
    • 大きなDC電圧ゲイン: 106dB
  • 非共通機能
    • 非常に短いセトリング時間: 0.01%まで1.5µs
    • 高いスルー・レート: 12V/µs
    • 広いゲイン帯域幅: 5MHz
    • 低い入力ノイズ電圧: 12nV/√Hz

LF356-MILデバイスは、適切に一致した高電圧JFETを、標準バイポーラ・トランジスタと同じチップに組み入れた(BI-FET™テクノロジ)、最初のモノリシックJFET入力オペアンプです。これらのアンプは低い入力バイアス電流とオフセット電流、低いオフセット電圧とオフセット電圧ドリフト係数を特長とし、オフセット調整によってドリフト係数や同相除去が劣化しません。また、これらのデバイスは高いスルー・レート、広い帯域幅、非常に短いセトリング時間、低い電圧および電流ノイズ、低い1/fノイズ・コーナーも実現するよう設計されています。

LF356-MILデバイスは、適切に一致した高電圧JFETを、標準バイポーラ・トランジスタと同じチップに組み入れた(BI-FET™テクノロジ)、最初のモノリシックJFET入力オペアンプです。これらのアンプは低い入力バイアス電流とオフセット電流、低いオフセット電圧とオフセット電圧ドリフト係数を特長とし、オフセット調整によってドリフト係数や同相除去が劣化しません。また、これらのデバイスは高いスルー・レート、広い帯域幅、非常に短いセトリング時間、低い電圧および電流ノイズ、低い1/fノイズ・コーナーも実現するよう設計されています。
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* データシート LF356-MIL JFET入力オペアンプ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2017年 7月 14日

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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