データシート
SN74BCT29827B
- State-of-the-Art BiCMOS Design Significantly Reduces ICCZ
- ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883C, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
- 3-State Outputs Drive Bus Lines or Buffer Memory Address Registers
- P-N-P Inputs Reduce DC Loading
- Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
- Package Options Include Plastic Small-Outline (DW) Packages, Ceramic Chip Carriers (FK) and Flatpacks (W), and Standard Plastic and Ceramic 300-mil DIPs (JT, NT)
These 10-bit buffers and bus drivers provide high-performance bus interface for wide data paths or buses carrying parity.
The 3-state control gate is a 2-input AND gate with active-low inputs so that if either output-enable (or ) input is high, all ten outputs are in the high-impedance state. The outputs are also in the high-impedance state during power-up and power-down conditions. The outputs remain in the high-impedance state while the device is powered down.
The SN54BCT29827B is characterized for operation over the full military temperature range of -55°C to 125°C. The SN74BCT29827B is characterized for operation from 0°C to 70°C.
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技術資料
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1 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | 10-Bit Buffers/Drivers With 3-State Outputs データシート (Rev. C) | 1993年 11月 1日 |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点