SN74HC10-EP
- Controlled Baseline
- One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
- Extended Temperature Performance of –40°C to 125°C
- Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
- Enhanced Product-Change Notification
- Qualification Pedigree
- Wide Operating Voltage Range of 2 V to 6 V
- Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
- Low Power Consumption, 20-µA Max ICC
- Typical tpd = 9 ns
- ±4-mA Output Drive at 5 V
- Low Input Current of 1 µA Max
Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.
The SN74HC10 device contains three independent 3-input NAND gates. It performs the Boolean function Y = (A B C)\ or Y = A\ + B\ + C\ in positive logic.
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技術資料
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
SOIC (D) | 14 | Ultra Librarian |
TSSOP (PW) | 14 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点