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TPS53317

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DDR メモリ終端向け、低入力電圧、6A 同期整流降圧型 SWIFT™ コンバータ

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製品詳細

Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.32 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.32 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VQFN (RGB) 20 14 mm² 4 x 3.5
  • TI proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
  • Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
  • External Tracking
  • Minimum External Components Count
  • to 6-V Conversion Voltage
  • D-CAP+ Mode Architecture
  • Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
  • Selectable SKIP Mode or Forced CCM
  • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
  • Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
  • Selectable Overcurrent Limit (OCL)
  • Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
  • Adjustable Output Voltage from to 2 V
  • 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin VQFN Package
  • TI proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
  • Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
  • External Tracking
  • Minimum External Components Count
  • to 6-V Conversion Voltage
  • D-CAP+ Mode Architecture
  • Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
  • Selectable SKIP Mode or Forced CCM
  • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
  • Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
  • Selectable Overcurrent Limit (OCL)
  • Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
  • Adjustable Output Voltage from to 2 V
  • 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin VQFN Package

The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external componentcount and fast transient response. The device can also be used for other point-of-load (POL)regulation applications requiring up to 6 A. In addition, the device supports full, 6-A, outputsinking current capability with tight voltage regulation.

The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.

The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external componentcount and fast transient response. The device can also be used for other point-of-load (POL)regulation applications requiring up to 6 A. In addition, the device supports full, 6-A, outputsinking current capability with tight voltage regulation.

The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.

The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS53317 6-A Output, D-CAP+ Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination データシート (Rev. D) PDF | HTML 2015年 7月 10日
セレクション・ガイド SWIFT DC/DC Converters Selector Guide (Rev. G) 2019年 2月 6日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the TPS53317EVM-750 D-CAP+™ Mode Synchronous Step-Down Integrated FETs Con 2011年 9月 6日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

シミュレーション・モデル

TPS53317 IBIS Model

SLUM347.ZIP (10 KB) - IBIS Model
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シミュレーション・モデル

TPS53317 PSpice Transient Model

SLUM370.ZIP (64 KB) - PSpice Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RGB) 20 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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