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SN54HC03

現行

Military 4-ch, 2-input, 2-V to 6-V 5.2 mA drive strength NAND gate with open-drain outputs

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產品規格表

SN54HC03

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產品詳細資料

Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Open-drain Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Open-drain Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Maximum ICC
  • Typical tpd = 8 ns at 5 V
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA
  • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Maximum ICC
  • Typical tpd = 8 ns at 5 V
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA

This device contains four independent 2-input NAND Gates with open-drain outputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.

This device contains four independent 2-input NAND Gates with open-drain outputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.
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類型 標題 日期
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Application note Live Insertion 1996年 10月 1日
Application note SN54/74HCT CMOS Logic Family Applications and Restrictions 1996年 5月 1日
Application note Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 1996年 4月 1日

設計與開發

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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
CDIP (J) 14 Ultra Librarian
LCCC (FK) 20 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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