產品詳細資料

Technology family HCS Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 7.8 IOH (max) (mA) -7.8 Input type Schmitt-Trigger Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Technology family HCS Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 7.8 IOH (max) (mA) -7.8 Input type Schmitt-Trigger Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 SOT-23-THN (DYY) 14 13.692 mm² 4.2 x 3.26 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 WQFN (BQA) 14 7.5 mm² 3 x 2.5
  • Wide operating voltage range: 2 V to 6 V
  • Schmitt-trigger inputs allow for slow or noisy input signals
  • Low power consumption
    • Typical ICC of 100 nA
    • Typical input leakage current of ±100 nA
  • ±7.8-mA output drive at 5 V
  • Extended ambient temperature range: –40°C to +125°C, TA
  • Wide operating voltage range: 2 V to 6 V
  • Schmitt-trigger inputs allow for slow or noisy input signals
  • Low power consumption
    • Typical ICC of 100 nA
    • Typical input leakage current of ±100 nA
  • ±7.8-mA output drive at 5 V
  • Extended ambient temperature range: –40°C to +125°C, TA

This device contains four independent 2-input NAND Gates with Schmitt-trigger inputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.

This device contains four independent 2-input NAND Gates with Schmitt-trigger inputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.

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技術文件

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類型 標題 日期
* Data sheet SN74HCS00 Quadruple 2-Input NAND Gates with Schmitt-Trigger Inputs datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2021年 12月 13日
Application brief Catch a Digital Signal PDF | HTML 2021年 7月 16日

設計與開發

如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

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TI.com 無法提供
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使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
開發板

HALL-TRIGGER-EVM — 適用於具有外部現場保護之非接觸式、霍爾效應變動速度觸發器的評估模組

此評估模組 (EVM) 使用霍爾效應感測器來實作觸發器,而該觸發器是根據按下觸發器的程度來輸出不同電壓。與傳統的機械式觸發器相比,此 EVM 採用非接觸式的方法減少磨損,因從而延長產品使用壽命。低功耗霍爾效應開關與負載開關搭配使用,因此當未按下觸發器時,可讓系統維持低功耗待機模式。此外,當存在強大的外部磁場時,選擇性使用停用電壓輸出的磁場保護功能。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

SN74HCS00 IBIS Model (Rev. B)

SCLM150B.ZIP (51 KB) - IBIS Model
參考設計

TIDA-060032 — 具有外部現場保護的非接觸式、霍爾效應變動速度觸發參考設計

此參考設計使用霍爾效應感測器來實作觸發器,而該觸發器是根據按下觸發器的程度來輸出不同電壓。這些類型的觸發器對於無線供電工具或其他任何使用觸發位移資訊的終端設備都很有用。

與傳統的機械式觸發器相比,此設計採用非接觸式的方法減少磨損,因從而延長產品使用壽命。低功耗霍爾效應開關與負載開關搭配使用,因此當未按下觸發器時,可讓系統維持低功耗待機模式。此外,當存在強大的外部磁場時,選擇性使用停用電壓輸出的磁場保護功能。

Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
SOT-23-THN (DYY) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
WQFN (BQA) 14 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

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