LMG1210EVM-012
LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール
LMG1210EVM-012
概要
LMG1210EVM-012 は、GAN FET 向けの LMG1210 メガヘルツ 200V ハーフ・ブリッジ・ドライバを評価する目的で設計されています。この EVM は、単一の LMG1210 によって駆動される、ハーフ・ブリッジ構成の 2 個の GaN（窒化ガリウム）FET によって形成されています。ボード上にコントローラは実装されていません。
特長
- ドライバの高周波対応を実証
- ドライバの高い CMTI 耐性を実証
- ドライバの優れた遅延特性、マッチング、強度を実証
- デッドタイム・ブロック機能と、効率に対する望ましい影響を実証
- これはご注文可能な PCB（ハードウェア）であり、Class-D オーディオ、エンベロープ追跡、高周波 DC/DC の各アプリケーションで使用するレーザー向けのドライバ段を示します。
ハーフ・ブリッジ・ドライバ
購入と開発の開始
評価ボード
LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール
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設計ファイル
技術資料
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN | 2018年 1月 29日 | |||
| データシート | LMG1210 デッドタイム調整可能な 200V、1.5A、3A ハーフ・ブリッジ MOSFET および GaN FET ドライバ、最大 50MHz のアプリケーション向け データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2020年 2月 6日 | |
| 証明書 | LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |