PMP22509
18- to 36-VDC input, 25-W DC/DC active clamp forward reference design
PMP22509
概要
アクティブ・クランプ・フォワードを採用したこのデザインは、18V ~ 36V の入力を 5V、25W の出力に変換します。このリファレンス・デザインは、P チャネル補助 FET を採用したアクティブ・クランプ実装を簡略化するために、高度な電流モード・アクティブ・クランプ PWM コントローラである UCC2897A を使用しています。このデザインは、24V 入力時に 91.7% のピーク効率を達成します。アクティブ・クランプ・トポロジーを採用すると、自己駆動型の同期整流器 (SR) FET を実現し、コスト削減や 2 次側の複雑さの軽減に結び付けることができます。また、このデザインは、カタログ掲載の標準的なトランスとインダクタを使用しています。
特長
- 24V 入力時に 30% ~ 100% の負荷範囲で 90% の効率を達成
- 自己駆動 SR (複数の CSD17579Q3A MOSFET を使用) は、ドライブの複雑さを軽減
- コスト効率の優れたソリューションを実現するために、カタログ掲載の標準的な磁気素子を使用
出力電圧オプション | PMP22509.1 |
---|---|
Vin (Min) (V) | 18 |
Vin (Max) (V) | 36 |
Vout (Nom) (V) | 5 |
Iout (Max) (A) | 5 |
Output Power (W) | 25 |
Isolated/Non-Isolated | Isolated |
Input Type | DC |
Topology | Forward- Active Clamp |
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDM626.PDF (94 K)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
MOSFET
CSD17579Q3A — 3mm x 3mm の SON 封止、シングル、14.2mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート: PDF | HTMLMOSFET
CSD19537Q3 — 3mm x 3mm の SON 封止、シングル、14.5mΩ、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート: PDF | HTML技術資料
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種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
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* | 試験報告書 | 18- to 36-VDC Input, 25-W DC-DC Active Clamp Forward Reference Design | 2020年 6月 18日 |