為快速切換電晶體提供低閘極充電和電阻
TI 的 NexFET™ MOSFET 提供多種 N 通道和 P 通道電源模組及離散式電源解決方案。我們的高度整合 MOSFET 可支援更高效率、延長電池壽命、提高功率密度及頻率，以實現快速切換。這些優點可在小尺寸產品中提供設計靈活性，讓設計工程師能夠縮短上市時間。
依類別瀏覽
N 通道 MOSFET
≤30-V 最大 BVDSS
40-V 至 100-V 最大 BVDSS
P 通道 MOSFET
電源塊
進一步了解 MOSFET
自 1980年代中期在 MOSFET 產品規格書中盛行以來，非箝位式電感切換 (UIS) 額定值已獲公認為實用的參數。雖然不建議在實際應用中重複運算 FET，但工程師學會了使用此指標來避免設計出可能造成問題的較弱裝置。
MOSFET SOA 可從 5 種不同的限制中汲取：電阻、電流、最大功率、熱不穩定性和 MOSFET 電壓。了解如何解讀 MOSFET 產品規格書上的 SOA 曲線。
了解如何測量 MOSFET 電流額定值，其方式並非是透過 RDS (ON) 和閘極電荷等參數來測定，而是透過計算方式得出，並可透過多種不同方式得出。
了解 MOSFET 產品規格書中出現的其他雜項切換參數，以及與整體裝置性能的相關性 (或缺乏相關性)。
MOSFET 在電路中的性能很大程度上取決於裝置的熱性能。
了解 FET 產品規格表上的接點至環境熱阻抗與接點至外殼熱阻抗參數，以及這些數值的衍生方式。
了解如何快速取捨尺寸、成本和性能，以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。TI MOSFET 應用專家為您介紹眾多基於 MOSFET 功率損耗工具的應用範例。