運用我們的先進功率級裝置，實現最精簡解決方案尺寸、最大功率密度、最佳化效率，並強化系統防護。將我們具備高精密度遙測功能的智慧功率級，與可擴充的多相控制器彼此整合，實現精簡的多相 DC/DC 系統解決方案。這種整合可省去冗餘元件、減少開關損傷並提高整體系統可靠性，只要透過精巧元件封裝即可實現上述優點。此外，我們的氮化鎵 FET系列配備整合式閘極驅動器與 GaN 功率裝置，提供具使用壽命可靠性與成本效益的最高效率 GaN 解決方案。
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新產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
650V 35mΩ, TOLL packaged GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection
約略價格 (USD) 1ku | 10.668
我們的 GaN 與矽 MOSFET 功率級可提升系統效率並簡化設計
專為可靠性打造
運用專利矽基氮化鎵技術製程、超過 4 千萬小時的可靠性測試與保護功能，我們的 GaN 裝置可確保高電壓系統安全無虞。
高整合度
整合式 MOSFET、驅動器及電流感測提供免除被動元件的切換功能，縮減解決方案尺寸，並簡化印刷電路板佈線圖。
更小的磁性元件，更高的功率密度
我們的 GaN 裝置具備更快的切換速度，可幫助您實現超過 500 kHz 的切換頻率，最多可讓磁性元件縮小 60%，提升性能並降低系統成本。
技術資源
Application note
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
熱管理可促成高功率設計的成功或失敗。我們的 QFN 12mm x 12mm 封裝設計旨在為各種應用領域提供卓越性能。進一步了解封裝，並閱讀有關如何將熱量設計最佳化的秘訣。
Application note
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
同步降壓轉換器是低電壓、高電流應用中廣泛使用的拓撲。未來先進微處理器對低功率損耗及高效率同步降壓轉換器的需求量會很大。
White paper
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
我們的 dMode GaN 裝置系列可在無共源共閘的情況下進行正常關閉運作。進一步了解直接驅動器及其優點。