解放高電壓的威力
透過為因應高壓系統需求而設計的裝置,實現卓越可靠性
充分運用您的高電壓設計
設計高電壓應用時會面臨一連串的特有挑戰。因此之故,我們的電源轉換、電流與電壓感測、隔離與即時控制技術可相互搭配運作,以簡化高電壓設計,協助您達到最高的效率與可靠性。
為何您的高電壓設計需要選用 TI?
內建可靠性
憑藉數十年的製造經驗,我們的解決方案可提供成本及性能優勢,同時維持高壓系統的必要可靠性。
專業產品組合
從電源轉換到感測、隔離與即時控制,我們的類比與嵌入式裝置共同合作以簡化高電壓設計。
端對端系統技術知識
我們的端對端系統專業與設計資源有助於簡化高電壓設計,並縮短上市時間。
安心設計高壓系統
有效率的電源轉換
在以系統效率、可靠性與安全性為主要考量的高電壓設計中,減少功率損失至關重要。請查看以下資源,了解如何提升系統效率並將切換與傳導損失減到最少,以及探索我們的高電壓電源轉換產品組合與技術。
進一步了解:
準確感測
準確的電流、電壓及溫度感測對於在典型高壓應用之嚴苛環境條件下提高設計可靠性,扮演著關鍵角色。了解如何運用下方資源簡化高電壓設計的感測功能,並探索我們的電流、電壓及溫度感測產品。
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Using isolated comparators for fault detection in electric motor drives
可靠的隔離
在高電壓應用中,安全性是重中之重。了解如何利用最新隔離技術來保護這些系統的安全,並探索我們的高壓隔離產品和技術。
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低延遲即時控制
高壓系統需仰賴複雜的電源拓撲、並需採用專業控制技術以提升可靠性。了解如何利用專為提高效率與功率密度而設計的先進微控制器,將高壓電設計最大化,並探索我們的即時控制產品和技術。
進一步了解:
The Essential Guide for Developing With C2000 Real-Time Microcontrollers (Rev. F)
客戶成功案例
了解我們的客戶對 TI 高電壓技術的看法,以及該技術如何幫助他們實現更安全、更可靠和更有效率的高電壓設計。
Delta
「GaN 應用融合 Delta (Electronics) 的高效率電力電子核心專業技術,在不犧牲效率性能的情況下,實現最大的功率密度。最終,GaN 技術可開啟通往新產品世界的大門,將過去的不可能化為現實。」
- Kai Dong | Delta Electronics 客製化設計業務單研發經理
Ecoflow
「Ecoflow 的新型 PowerStream 微型逆變器採用 TI 的高電壓技術,包括氮化鎵 (GaN) FET、C2000™ 即時 MCU、數位隔離器和絕緣式閘極驅動器。透過使用 TI GaN,我們得以讓微型逆變器更精巧、更有效率且更可靠。TI 的 C2000 MCU 幫助我們實作複雜的控制演算法,使微型逆變器變得更具智慧。這一切都使我們能夠製造出易於使用且具有競爭力的產品。Ecoflow 致力於在太陽能市場持續創新,並期待與 TI 合作,將其最新技術導入我們未來的太陽能應用中。」
- Shida Gu | Ecoflow 電力硬體工程師
探索精選應用
提升系統級效率並將功率密度最大化
利用我們的高電壓技術,為逆變器與馬達控制系統實現最可靠的解決方案。
優點:
- 以 IGBT 與 SiC FET 的絕緣式閘極驅動器提升系統級效率並監控故障狀況。
- 透過高性能即時微控制器啟用新架構、加長行駛距離,並提高功率密度。
- 以偏壓電源供應解決方案將系統成本最佳化,並簡化功能安全性。
- 運用我們的感測解決方案準確地測量電流與電壓,以提升系統效率、可靠性及性能。
特色資源
- PMP23223 – 配備偏壓電源的智慧型隔離式閘極驅動器參考設計
- PMP22817 – 配備整合式變壓器的汽車 SPI 可編程閘極驅動器和偏壓電源參考設計
- TIDM-02009 – 經 ASIL D 安全概念評估的高速牽引、雙向 DC/DC 轉換參考設計
- Improving safety in EV traction inverter systems – Technical article
- Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters – Technical article
透過我們的 GaN FET 和 IGBT 與 SiC 閘極驅動器、偏壓電源供應來提高功率密度
利用我們的高電壓電源轉換及電流與電壓感測技術支援的可靠太陽能與儲存系統,打造更永續的未來。
優點:
- 運用我們的 GaN FET、SiC 和 IGBT 閘極驅動器、偏壓電源供應和進階即時控制微控制器的產品組合,提高功率密度。
- 進行快速且準確的電流感測,滿足控制迴路、電弧偵測及絕緣需求。
特色資源
- TIDA-01606 – 10-kW、雙向三相三級 (T 型) 逆變器和 PFC 參考設計
- TIDA-010210 – 以 GaN 為基礎的 11-kW、雙向、三相 ANPC 參考設計
- TIDA-010054 – 適合於 Level 3 電動車充電站的雙向有源電橋參考設計
最佳化電池效率、輕鬆診斷以及管理電池組安全性
利用 BMS 解決方案解決影響廣泛採用電動車 (EV) 的難題,而這些解決方案可利用最關鍵的 BMS 功能技術突破,例如電流與電壓感測與隔離監控。
優點:
- 啟用準確電流與電壓量測,以電池監控器與平衡器有效管理電池組的安全。
- 憑藉固態繼電器確保領先業界的可靠性、改善 800-V EV BMS 的安全性,並可將系統尺寸和成本降低 50% 之多。
特色資源
- TIDA-050063 – 高電壓固態繼電器主動預充電參考設計
- How to design an intelligent battery junction box for advanced EV battery manageme – Technical article
- Enhance thermal management in EVs with autonomous cell balancing – Technical article
增加功率密度並縮小 DC 直流充電樁的尺寸
透過降低 DC 充電站和充電樁成本的設計,為電氣化的未來提供動力,同時改善安全性和整體使用者體驗。
優點:
- 利用我們的氮化鎵 (GaN) FET、SiC 與 IGBT 閘極驅動器和隔離式偏壓電源的產品組合,與您偏好的寬能隙 IC 合作。
- 透過 IGBT 型解決方案提高功率密度,並使用 GaN 技術縮減 DC 直流充電樁的尺寸。
- 善用領先業界的電流與電壓感測技術,在電壓域間傳輸更可靠的資料。
特色資源
- TIDA-01606 – 10-kW、雙向三相三級 (T 型) 逆變器和 PFC 參考設計
- TIDA-010210 – 以 GaN 為基礎的 11-kW、雙向、三相 ANPC 參考設計
- TIDA-010054 – 適合於 Level 3 電動車充電站的雙向有源電橋參考設計
- Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations – Technical article
- Design Considerations for Current Sensing in DC EV Charging Applications – Application note
在更小空間中獲得更多功率,同時能維持高可靠性
憑藉我們高電壓電源轉換及低延遲即時控制技術產品組合,建立具更高可靠性和功率密度、更高能源效率且受妥善保護的電源設計。
優點:
- 藉助我們的 GaN 技術,以 96.5% 的能效獲得超過 80 Plus® 鈦金。
- 利用我們的整合式閘極驅動器減少寄生損耗,並且簡化系統級設計。
特色資源
- How GaN enables high efficiency in totem-pole PFC-based power designs – Technical article
- Meeting server power supply design trends with a real-time MCU – Technical article
瀏覽精選高壓產品
高電壓的精選參考設計
可變頻率、ZVS、5-kW、GaN 架構、二相圖騰柱 PFC 參考設計
隔離監控採用高電壓 EV 充電和太陽能的 AFE 參考設計
適用於固態繼電器的過電流與過熱防護參考設計
此參考設計顯示如何實現固態繼電器的過電流與過熱防護。參考設計配備 TPSI3050-Q1 5-kVRMS 強化型隔離開關驅動器。TPSI3050-Q1 裝置整合了層壓變壓器,在將訊號和電源傳輸至二次側時實現隔離。如此就不需要任何隔離偏壓電源。此外,TPSI3050-Q1 裝置可爲位於高電壓 (HV) 側的外部電路提供電源。此參考設計最多可支援 500-VDC 或 350-VAC 切換,具最大值為 4-A 負載條件。
使用 C2000™ MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC
This reference design is a 3.-kW bidirectional interleaved continuous conduction mode (CCM) totem-pole (TTPL) bridgeless power factor correction (PFC) power stage using a C2000™ real-time controller and LMG3410R070 gallium nitride (GaN) with integrated driver and protection. (...)