JAJS323D February   2008  – June 2024 AMC1203

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5.   Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information
    5. 5.5  Power Ratings
    6. 5.6  Insulation Specifications
    7. 5.7  Safety-Related Certifications
    8. 5.8  Safety Limiting Values
    9. 5.9  Electrical Characteristics
    10. 5.10 Switching Characteristics
    11. 5.11 Timing Diagram
    12. 5.12 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Analog Input
      2. 6.3.2 Modulator
      3. 6.3.3 Digital Output
    4. 6.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Shunt Resistor Sizing
        2. 7.2.2.2 Input Filter Design
        3. 7.2.2.3 Bitstream Filtering
      3. 7.2.3 Application Curve
    3. 7.3 Best Design Practices
    4. 7.4 Power Supply Recommendations
    5. 7.5 Layout
      1. 7.5.1 Layout Guidelines
      2. 7.5.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 8.1 Documentation Support
      1. 8.1.1 Related Documentation
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 Trademarks
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  11. Revision History
  12. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 10.1 Mechanical Data

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • リニア入力電圧範囲:±280mV
  • 電源電圧範囲:
    • ハイサイド:4.5V~5.5V
    • ローサイド:4.5V~5.5V
  • 小さい DC 誤差:
    • AMC1203:
      • オフセット誤差:±1mV (最大値)
      • オフセット ドリフト:±5µV/℃ (最大値)
      • ゲイン誤差:±2% (最大値)
      • ゲイン ドリフト:±20ppm/℃ (最大値)
    • AMC1203B:
      • オフセット誤差:±1mV (最大値)
      • オフセット ドリフト:±5µV/℃ (最大値)
      • ゲイン誤差:±1% (最大値)
      • ゲイン ドリフト:±20ppm/℃ (最大値)
  • 過渡耐性:15kV/µs (最小値)
  • 10MHz クロック ジェネレータを内蔵
  • 安全関連認証:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した基本絶縁耐圧:4000VPEAK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:2800VRMS (1 分間)
  • 仕様温度範囲:-40℃~+105℃