JAJSND4C December 2021 – October 2024 BQ77207
PRODUCTION DATA
| パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 過電圧保護 (OV) | ||||||
| VOV | OV 検出範囲 | 3.55 | 5.1 | V | ||
| VOV_STEP | OV 検出ステップ | 25 | mV | |||
| VOV_HYS | OV 検出ヒステリシス | 選択した OV ヒステリシスは型番によって異なります。詳細については、デバイス選択表を参照してください。 | VOV – 50 | mV | ||
| 選択した OV ヒステリシスは、型番によって異なります。詳細については、デバイス選択表を参照してください。 | VOV – 100 | mV | ||||
| VOV_ACC | OV 検出精度 | TA = 25℃ |
-10 | 10 | mV | |
| OV 検出精度 | 0℃ ≤ TA ≤ 60℃ |
-20 | 20 | mV | ||
| OV 検出精度 | -40℃ ≤ TA ≤ 110℃ |
-50 | 50 | mV | ||
| 低電圧保護 (UV) | ||||||
| VUV | UV 検出範囲 | 1.0 | 3.5 | V | ||
| VUV_STEP | UV 検出ステップ | 50 | mV | |||
| VUV_HYS | UV 検出ヒステリシス | 選択した OV ヒステリシスは、型番によって異なります。詳細については、デバイス選択表を参照してください。 | VUV + 50 | mV | ||
| 選択した OV ヒステリシスは、型番によって異なります。詳細については、デバイス選択表を参照してください。 | VUV + 100 | mV | ||||
| VUV_ACC | UV 検出精度 | TA = 25℃ | -30 | 30 | mV | |
| UV 検出精度 | -40 ≤ TA ≤ 110℃ | -50 | 50 | mV | ||
| VUV_MIN | UV 検出ディセーブル スレッショルド | Vn - Vn-1、ここで n = 2～7 および V1 - VSS | 450 | 500 | 550 | mV |
| 過熱保護 (OT) | ||||||
| TOT | OT 検出範囲 | 利用可能なオプション：62°C、65°C、70°C、75°C、80°C、83°C | 62.0 | 83.0 | ℃ | |
| ROT_EXT_NTC | NTC OT 検出の外部抵抗 | 2850 | Ω | |||
| 2570 | ||||||
| 2195 | ||||||
| 1915 | ||||||
| 1651 | ||||||
| 1525 | ||||||
| ROT_EXT_PTC | PTC OT 検出の外部抵抗 | 111100 | Ω | |||
| TOT_ACC(1) | OT 検出精度 (NTC) | -5 | 5 | ℃ | ||
| TOT_HYS(2) | OT 検出ヒステリシス (NTC) | -10 | ℃ | |||
| 4186 | Ω | |||||
| 3530 | Ω | |||||
| RTC | 内蔵プルアップ抵抗 | テキサス・インスツルメンツの工場出荷時トリム後 | 19.4 | 20 | 20.6 | kΩ |
| 低温保護 (UT) | ||||||
| TUT | UT 検出スレッショルド | -30.0 | 0.0 | ℃ | ||
| RUT_EXT_NTC | NTC UT 検出の外部抵抗 | 111100 | Ω | |||
| 68900 | ||||||
| 42200 | ||||||
| 26700 | ||||||
| RUT_ACC | UT 検出の外部抵抗精度 | -2% | 2% | |||
| TUT_HYS | UT 検出ヒステリシス (NTC) | 10 | ℃ | |||
| 17800 | Ω | |||||
| TUT_ACC(1) | UT 検出精度 (NTC) | -5 | 5 | ℃ | ||
| 断線保護 (OW) | ||||||
| VOW | OW 検出スレッショルド | Vn < Vn-1、ここで n = 2～7 | -200 | mV | ||
| V1 - VSS | 500 | mV | ||||
| VOW_HYS | OW 検出ヒステリシス | Vn < Vn -1、ここで n = 1～7 | VOW +100 | mV | ||
| VOW_ACC | OW 検出精度 | –40℃ ≤ TA ≤ 110℃ | -25 | 25 | mV | |
| 電源電流とリーク電流 | ||||||
| ICC | 電源電流 | フォルトは検出されない。 | 2 | 3.5 | µA | |
| ICC_FAULT | 電源電流 | フォルト検出、COUT アクティブ High 6V 出力、DOUT アクティブ Low。その他のフォルト | 20 | 25 | µA | |
| ICC_FAULT | 電源電流 | フォルト検出、COUT アクティブ High 6V 出力、DOUT アクティブ Low。UV 障害のみ | 3 | 5 | µA | |
| IIN(2) | Vx ピンの入力電流 | Vn - Vn -1 および V1 - VSS = 4V、ここで n = 2～7、オープン ワイヤがイネーブル | -0.3 | 0.3 | µA | |
| Vn - Vn-1 および V1 - VSS = 4V、ここで n = 2～7、オープン ワイヤがディセーブル | -0.1 | 0.1 | µA | |||
| 出力駆動、COUT および DOUT、CMOS アクティブ High バージョンのみ | ||||||
| VOUT_AH | COUT および DOUT の出力駆動電圧、アクティブ High 6V | Vn - Vn-1 または V1 - VSS > VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、COUT、DOUT ピン出力で測定された IOH = 100 µA。 | 6 | V | ||
| COUT および DOUT の出力駆動電圧、アクティブ High VDD | VDD - VCOUT または VDOUT、Vn - Vn-1 または V1 - VSS > VOV、ここで n = 2～7、COUT、DOUT ピン出力で測定された IOH = 10µA。 | 0 | 1 | 1.5 | V | |
| COUT および DOUT の出力駆動電圧、アクティブ High 6V | 7 セルのうち 6 セルが短絡し、1 セルのみが電源供給を維持して VOV を上回り、VDD = Vx (セル電圧)、IOH = 100µA の場合、VDD - VCOUT または VDOUT、 | 0 | 1 | 1.5 | V | |
| COUT および DOUT の出力駆動電圧、アクティブ High 6V および VDD | Vn - Vn-1 および V1 - VSS < VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、ピン入力で測定した IOH = 100µA | 250 | 400 | mV | ||
| ROUT_AH | 内蔵プルアップ抵抗 | 80 | 100 | 120 | kΩ | |
| IOUT_AH_H | OUT ソース電流 (OV 中) | Vn - Vn-1 または V1 - VSS > VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、OUT = 0V。COUT、DOUT ピンの出力で測定 | 6.5 | mA | ||
| IOUT_AH_L | OUT シンク電流 (OV なし) | Vn - Vn-1 かつ V1 - VSS < VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、OUT = VDD。COUT、DOUT ピンの入力で測定 | 0.3 | 3 | mA | |
| 出力駆動、COUT および DOUT、NCH オープン ドレイン アクティブ Low バージョンのみ | ||||||
| VOUT_AL | COUT および DOUT の出力駆動電圧、アクティブ Low | Vn - Vn-1 または V1 - VSS > VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、COUT、DOUT ピンの入力で測定した IOH = 100 µA。 | 250 | 400 | mV | |
| IOUT_AL_L | OUT ソース電流 (OV 中) | Vn - Vn-1 または V1 - VSS > VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、OUT = VDD。COUT、DOUT ピンの入力で測定。 | 0.3 | 3 | mA | |
| IOUT_AL_H | OUT シンク電流 (OV なし) | Vn - Vn-1 かつ V1 - VSS < VOV、ここで n = 2～7、VDD = 25V、OUT = VDD。COUT、DOUT ピンの出力で測定。 | 100 | nA | ||