DATA SHEET
CSD17483F4 30V N チャネル FemtoFET MOSFET
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1 特長
- 低オン抵抗
- 低い Qg および Qgd
- 低いスレッショルド電圧
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 高さ 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
2 アプリケーション
- ロード・スイッチ・アプリケーションに最適
- 汎用スイッチング・アプリケーションに最適
- 単一セル・バッテリのアプリケーション
- ハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション
3 概要
この 200mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
図 3-1
標準的な部品寸法
製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (4.5V) | 1010 | pC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 130 | pC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間 オン抵抗 |
VGS = 1.8V | 370 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 240 | |||
| VGS = 4.5V | 200 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 0.85 | V | |
製品情報
| デバイス(1) | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17483F4 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto (0402) 1.00mm × 0.60mm SMD リード・レス |
テープ・アンド・リール |
| CSD17483F4T | 250 |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | 12 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、TA = 25℃(1) | 1.5 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) | 5 | A |
| IG | 連続ゲート・クランプ電流 | 35 | mA |
| パルス・ゲート・クランプ電流(2) | 350 | ||
| PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 4 | kV |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2 | ||
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保存温度 |
–55～150 | ℃ |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 7.4A、 L = 0.1mH、RG = 25Ω |
2.7 | mJ |
(1) RθJA = 90℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB
上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%
図 3-2
上面図
