CSD17483F4
- 低オン抵抗
- 低い Qg および Qgd
- 低いスレッショルド電圧
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 高さ 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 200mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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MOSFET
多くの TI リファレンス デザインには、CSD17483F4 があります。
TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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