CSD85301Q2
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、2mm x 2mm の SON 封止、デュアル、27mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD85301Q2
- 低いオン抵抗
- 独立した 2 つの MOSFET
- 省スペースの SON 2mm × 2mm プラスチック パッケージ
- 5V ゲート ドライバに最適化
- アバランシェ定格
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS に準拠
CSD85301Q2 は、SON 2mm x 2mm プラスチック パッケージに封止された 20V、23mΩ N チャネル デバイスです。本デバイスは独立した 2 つの MOSFET を内蔵しています。これらの 2 つの FET は、同期整流降圧アプリケーションとその他の電源アプリケーションのために、ハーフブリッジ構成で使用するように設計されています。また、このデバイスはアダプタ、USB 入力保護、バッテリ充電アプリケーションにも使用できます。2 つの FET は、ドレイン - ソース間オン抵抗が低いことを特長としています。そのため、スペースに制約のあるアプリケーションの損失を最小化し、部品点数を低減できます。
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技術資料
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設計および開発
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購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
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- 組み立てを実施した拠点
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