CSD85301Q2
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、2mm x 2mm の SON 封止、デュアル、27mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD85301Q2
- Low on-resistance
- Dual independent MOSFETs
- Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Pb and halogen free
- RoHS compliant
The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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技術資料
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設計および開発
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購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
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