データシート
CSD87503Q3E
- デュアルNチャネルの共通ソースMOSFET
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低い熱抵抗
- 低いQgおよびQgd
- 鉛フリーの端子メッキ処理
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
CSD87503Q3Eは30V、13.5mΩの共通ソース、デュアルNチャネル・デバイスで、USB Type-C/PDおよびバッテリ保護用に設計されています。SON 3.3×3.3mmのデバイスで、ドレイン間のオン抵抗が低く、損失が最小化されるため、容積の制限されるアプリケーションで部品数を減らすために役立ちます。
技術資料
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8 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD87503Q3E 30V NチャネルNexFET™パワーMOSFET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2017年 9月 22日 |
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設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
サポート・ソフトウェア
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
VSON (DTD) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。