CSD18543Q3A
- 非常に低いQgおよびQgd
- 低いRDS(on)
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛不使用
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
アプリケーション
- ソリッドステート・リレー・スイッチ
- DC/DC変換
- 2次側同期整流
- 絶縁コンバータの1次側スイッチ
- モータ制御
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この60V、8.1mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFETパワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD18543Q3A 60V NチャネルNexFET™パワーMOSFET データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2017年 1月 26日 |
アプリケーション・ノート | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |||
アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |||
アプリケーション・ノート | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023年 12月 18日 | |||
アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023年 12月 6日 | |||
アプリケーション・ノート | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |||
アプリケーション概要 | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
アプリケーション概要 | Improve DC/DC Regulator EMI for Free with Optimized Power Stage Layout | 2017年 11月 13日 | ||||
アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
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製品
MOSFET
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MOSFET
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製品
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ソフトウェア
計算ツール
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TIDA-020014 — 3 種類の IGBT/SiC 向けバイアス電源ソリューション搭載、HEV/EV トラクション・インバータ出力段のリファレンス・デザイン
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PMP20852 — 3W 絶縁型 3 出力フライバック・コンバータのリファンレス・デザイン
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSONP (DNH) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。