データシート
CSD86336Q3D
- ハーフ・ブリッジ・パワー・ブロック
- 12A時に93.0%のシステム効率
- 最大20Aで動作
- 高周波数での動作(最高1.5MHz)
- 高密度SON、占有面積3.3mm×3.3mm
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低いスイッチング損失
- インダクタンスの非常に低いパッケージ
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- 鉛フリーの端子メッキ処理
CSD86336Q3D NexFET™ パワー・ブロックは、同期整流降圧アプリケーション向けに最適化された設計で、大電流、高効率、高周波数の能力を小さな3.3mm×3.3mmの外形に収めています。この製品は5Vのゲート駆動アプリケーション用に最適化されており、外部のコントローラ/ドライバからの任意の5Vゲート・ドライブと組み合わせて、高密度の電源を実現できます。
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技術資料
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設計および開発
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計算ツール
MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
計算ツール
SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア
製品
MOSFET
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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VSON-CLIP (DPB) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。