CSD25480F3
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、159mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25480F3
- 低オン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 0.73mm × 0.64mm
- 薄型
- 最大高 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この –20V、110mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。
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技術資料
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12 をすべて表示 設計および開発
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評価ボード
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板
FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。 ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。 6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。
ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
リファレンス・デザイン
TIDA-050039 — Energy harvesting from single cell solar panel for li-ion battery reference design
The TIDA-050039 reference design demonstrates how to use a fully-integrated synchronous boost converter TPS61089 in combination with a single-cell solar panel to charge a li-ion battery. An additional maximum power-point (MPP) sampling network is implemented to dynamically control the input (...)
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。