CSD23285F5
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、35mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD23285F5
- 低オン抵抗
- 低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm のパッド・ピッチ
- 薄型
- 高さ 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 4kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 29mΩ、–12V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。
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技術資料
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* | データシート | CSD23285F5 –12V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 4月 14日 |
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その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
EVM ユーザー ガイド (英語) | Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 2017年 12月 6日 | ||||
設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板
FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。 ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。 6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。
ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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PICOSTAR (YJK) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。