DATA SHEET
CSD23280F3 –12V P チャネル FemtoFET MOSFET
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1 特長
- 低オン抵抗
- 極低 Qg および Qgd
- 高い動作ドレイン電流
- 極めて小さいフットプリント
- 超薄型プロファイル
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠