JAJSDJ3B April   2016  – February 2022 CSD23280F3

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Trademarks
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJM|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この –12V、97mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

GUID-3D3E4E6C-B356-436C-AC2D-751B112D563B-low.gif標準的な部品寸法
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –12 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 0.95 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 0.068 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間
オン抵抗		 VGS = –1.5V 230 mΩ
VGS = –1.8V 180
VGS = –2.5V 129
VGS = –4.5V 97
VGS(th) スレッショルド電圧 –0.65 V
製品情報(1)
デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷形態
CSD23280F3 3000 7 インチ・リール Femto
0.73mm × 0.64mm
LGA (Land Grid Array)		 テープ
および
リール
CSD23280F3T 250
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 –12 V
VGS ゲート - ソース間電圧 –6 V
ID 連続ドレイン電流(1) 2.9 A
連続ドレイン電流(2) 1.8
IDM パルス・ドレイン電流(1)(3) 11.4 A
PD 消費電力(1) 1.4 W
消費電力(2) 0.5
V(ESD) 人体モデル (HBM) 4000 V
デバイス帯電モデル (CDM) 2000
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 –55～150 ℃
(1) RθJA = 90℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
(2) RθJA = 255℃/W (標準値、最小限の Cu 取り付け領域を持つ基板に実装した場合)
(3) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-6A943158-C398-425C-8EE3-92D55F35FAD9-low.gif上面図