3 概要

この 29mΩ、–12V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

図 3-1 標準的な部品寸法

製品概要

T_A = 25℃		標準値		単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	–12		V
Q_g	ゲートの合計電荷 (–4.5V)	3.2		nC
Q_gd	ゲート電荷、ゲート - ドレイン間	0.48		nC
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = –1.5V	64	mΩ
		V_GS = –1.8V	49
		V_GS = –2.5V	38
		V_GS = –4.5V	29
V_GS(th)	スレッショルド電圧	–0.65		V

製品情報⁽¹⁾

デバイス	数量	メディア	パッケージ	出荷形態
CSD23285F5	3000	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール
CSD23285F5T	250	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール

(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

T_A = 25℃		値	単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	–12	V
V_GS	ゲート - ソース間電圧	–6	V
I_D	連続ドレイン電流⁽¹⁾	–3.3	A
I_D	連続ドレイン電流⁽²⁾	–5.4	A
I_DM	パルス・ドレイン電流⁽¹⁾⁽³⁾	–31	A
P_D	消費電力⁽¹⁾	0.5	W
P_D	消費電力⁽²⁾	1.4	W
V_(ESD)	人体モデル (HBM)	4000	V
V_(ESD)	デバイス帯電モデル (CDM)	2000	V
T_J、 T_stg	動作時の接合部温度、保存温度	–55～150	℃

(1) 最小 Cu、R_θJA = 245℃/W (標準値)

(2) 最大 Cu、R_θJA = 90℃/W (標準値)

(3) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

図 3-2 上面図