JAJSDH8B April 2016 – February 2022 CSD25480F3
PRODUCTION DATA
3 概要
この –20V、110mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。
標準的な部品寸法製品概要
| TA = 25℃ | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –20 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷 (–4.5V) | 0.7 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 | 0.10 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン - ソース間 オン抵抗 |
VGS = –1.8V | 420 | mΩ |
| VGS = –2.5V | 203 | |||
| VGS = –4.5V | 132 | |||
| VGS = –8.0V | 110 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | –0.95 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25480F3 | 3000 | 7 インチ・リール | Femto 0.73mm × 0.64mm LGA (Land Grid Array) |
テープ および リール |
| CSD25480F3T | 250 |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25℃ (特に記述のない限り) | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン - ソース間電圧 | –20 | V |
| VGS | ゲート - ソース間電圧 | –12 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | –1.7 | A |
| IDM | パルス・ドレイン電流(1)(2) | –10.6 | A |
| PD | 消費電力(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体モデル (HBM) | 4000 | V |
| デバイス帯電モデル (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保存温度 |
–55～150 | ℃ |
(1) RθJA = 255℃/W (標準値、最小限の Cu 取り付け領域を持つ FR4 基板に実装した場合)
(2) パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
上面図