JAJSMV6F September   2013  – February 2022 CSD25481F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 Trademarks
    3. 6.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 6.4 Glossary
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

Revision History

Changes from Revision E (December 2017) to Revision F (February 2022)

  • 超薄型プロファイルの箇条書き項目を、高さ 0.35mm から 0.36mm に変更。Go
  • 超薄型プロファイルの画像の高さを 0.35mm から 0.36mm に更新。Go
  • Changed ultra-low profile image height from 0.35 mm to 0.36 mm.Go
  • Added FemtoFET Surface Mount Guide note.Go

Changes from Revision D (October 2014) to Revision E (December 2017)

  • 絶対最大定格の表のパルス・ドレイン電流の値を –10A から –13.1A に変更。Go
  • 注 1 をRθJA = 85℃/W (標準値) からRθJA = 90℃/W (標準値) に変更。Go
  • 注 2 を「パルス幅 ≤ 300μs、デューティ・サイクル ≤ 2%」から「パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%」に変更。Go
  • Changed the typical RθJA values in the Thermal Information table Go
  • Updated Figure 5-1. Go
  • Updated Figure 5-10 with newly measured data. Go
  • Updated all mechanical drawings, increased the size of the pads in the Section 7.3 section. Go