JAJSMV8F October   2013  – January 2022 CSD25483F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 Glossary
  7. 7Mechanical Data
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD25483F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4 Revision History

Changes from Revision E (October 2021) to Revision F (January 2022)

  • 「特長」の最大高さを「0.35mm」から「0.36mm」に変更 Go
  • 標準的なデバイス寸法の高さの寸法を「0.35mm」から「0.36mm」に変更 Go
  • Changed maximum height dimension from "0.35 mm" to "0.36 mm" in Mechanical Dimensions Go

Changes from Revision D (October 2014) to Revision E (October 2021)

  • 文書全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
  • Added footnote with link to support documentGo

Changes from Revision C (July 2014) to Revision D (October 2014)

  • Corrected timing VDS to read –10 V Go

Changes from Revision B (February 2014) to Revision C (July 2014)

Changes from Revision A (December 2013) to Revision B (February 2014)

  • 「特長」の鉛およびハロゲン不使用を更新Go
  • IG パラメータを追加Go
  • Lowered IDSS limitGo
  • Lowered IGSS limitGo

Changes from Revision * (October 2013) to Revision A (December 2013)

  • 抵抗の誤字を訂正Go
  • 小型リールを追加Go