JAJSS07A December   2014  – May 2024 CSD85301Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 5.2 サポート・リソース
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 5.5 用語集
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Package Dimensions
    2. 7.2 PCB Land Pattern
    3. 7.3 Recommended Stencil Opening
    4. 7.4 Q2 Tape and Reel Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DLV|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

CSD85301Q2 は、SON 2mm x 2mm プラスチック パッケージに封止された 20V、23mΩ N チャネル デバイスです。本デバイスは独立した 2 つの MOSFET を内蔵しています。これらの 2 つの FET は、同期整流降圧アプリケーションとその他の電源アプリケーションのために、ハーフブリッジ構成で使用するように設計されています。また、このデバイスはアダプタ、USB 入力保護、バッテリ充電アプリケーションにも使用できます。2 つの FET は、ドレイン - ソース間オン抵抗が低いことを特長としています。そのため、スペースに制約のあるアプリケーションの損失を最小化し、部品点数を低減できます。

CSD85301Q2 上面図と回路図上面図と回路図
製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 20 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 4.2 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 1.0 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 1.8V 65 mΩ
VGS = 2.5V 33 mΩ
VGS = 3.8V 25 mΩ
VGS = 4.5V 23 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 0.9 V
注文情報
デバイス (1) メディア 数量 パッケージ Ship (配送)
CSD85301Q2 7インチ リール 3000 SON 2mm × 2mm
プラスチック パッケージ		 テープ アンド リール
CSD85301Q2T 7インチ リール 250
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃ 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 20 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±10 V
ID 連続ドレイン電流 (パッケージ制限) 5.0 A
IDM パルス ドレイン電流(1) 26 A
PD 消費電力(2) 2.3 W
TJ、
Tstg		 動作時の接合部温度、
保存温度		 -55～150 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 8.7A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 3.8 mJ
(1) 最大 RθJA = 185℃/W、パルス期間 ≦ 100μs、デューティ サイクル ≦ 1%
(2) RθJA = 55℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチの FR4 PCB 上の 1 平方インチ 2 オンス Cu パッドに実装した場合)
CSD85301Q2 RDS(on) と VGS との関係RDS(on) と VGS との関係
CSD85301Q2 ゲート電荷ゲート電荷