JAJSEY5 March   2018 CSD86336Q3D

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Recommended Operating Conditions
    3. 5.3 Thermal Information
    4. 5.4 Power Block Performance
    5. 5.5 Electrical Characteristics – Q1 Control FET
    6. 5.6 Electrical Characteristics – Q2 Sync FET
    7. 5.7 Typical Power Block Device Characteristics
    8. 5.8 Typical Power Block MOSFET Characteristics
  6. 6Application and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Equivalent System Performance
    2. 6.2 Power Loss Curves
    3. 6.3 Safe Operating Area (SOA) Curves
    4. 6.4 Normalized Curves
    5. 6.5 Calculating Power Loss and Safe Operating Area (SOA)
      1. 6.5.1 Design Example
      2. 6.5.2 Calculating Power Loss
      3. 6.5.3 Calculating SOA Adjustments
  7. 7Layout
    1. 7.1 Recommended Schematic Overview
    2. 7.2 Recommended PCB Design Overview
      1. 7.2.1 Electrical Performance
      2. 7.2.2 Thermal Performance
  8. 8デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 コミュニティ・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 Glossary
  9. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 9.1 Q3Dパッケージの寸法
    2. 9.2 ピン構成
    3. 9.3 推奨ランド・パターン
    4. 9.4 推奨ステンシル

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.4 Power Block Performance

TA = 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
PLOSS Power loss(1) VIN = 12 V, VGS = 5 V, VOUT = 1.3 V, IOUT = 15 A,
ƒSW = 500 kHz, LOUT = 950 nH, TJ = 25°C		 1.8 W
IQVIN VIN quiescent current(1) TG to TGR = 0 V, BG to PGND = 0 V, VIN = 12 V 10 µA
(1) Measurement made with six 10-μF (TDK C3216X5R1C106KT or equivalent) ceramic capacitors placed across VIN to PGND pins and
using a high-current 5-V driver IC.